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Contact : Jean-Jacques Aubert (jean-jacques.aubert@cea.fr)
Plus de performances à moindres coûts…
Le Leti travaille depuis longtemps sur l’amélioration des performances électriques du module de grille pour les transistors CMOS avancés. Avec le remplacement en 2008 de la brique classique « Oxyde de grille/Silicium Polycristallin » par un empilement High-k/Métal, un nouveau pas a été franchi.
A base de nitrure métallique réfractaire, le métal de grille produit généralement une dégradation de la fiabilité et de la mobilité des transistors.
Le Leti et ses partenaires ont réussi à attribuer ce phénomène à la diffusion de l’azote du métal jusqu’à l’interface avec le silicium et de présenter la gamme des 1nm EOT (Equivalent Oxyde Thermique) tout en conservant la fiabilité des dispositifs. De quoi rendre envisageable la réalisation de transistors répondant aux nœuds technologiques avancés.
Nanofils et circuits CMOS : vers un transfert de technologie…
Les nanofils sont utilisés dans l’optique, la biologie et l’énergie, mais rarement dans les dispositifs microélectroniques à cause de l’absence de compatibilité avec les procédés d’intégration CMOS (température de croissance élevée et utilisation de catalyseur métallique contaminant).
Tout reste possible puisque le Leti a démontré la croissance de nanofils de silicium en utilisant des procédés compatibles « Back-end of line ».
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