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Contact : Gilles Poupon (gilles.poupon@cea.fr)
Tout tester pour ne rien laisser au hasard…
Le Leti développe des technologies de packaging et des procédés d’intégration avec des contraintes très diverses telles que les environnements sévères, les substrats flexibles ou la biocompatibilité avec le corps humain dans le cas des applications médicales. Une grande partie des efforts est consacrée à la caractérisation des composants en vue d’améliorer les rendements de fabrication, maîtriser la durée de vie et diminuer autant que possible les coûts de production.
Substrat CIWIS (Chip-In-Wafer for Integrated System) :
-reconstitution des substrats à partir de puces hétérogènes et solutions sur mesure
-développement d’un packaging hermétique basé sur la technologie de flip chip, mais compatible avec les MEMS fonctionnant sous vide.
-amélioration des rendements par optimisation du transfert thermique au niveau du substrat pour les LEDs.
Au delà de la fiabilité des composants, le Leti garantit le transfert industriel de ses technologies :
-laboratoire de caractérisation et fiabilité des microsystèmes créé pour évaluer les composants et dispositifs MEMS conçus, développés et fabriqués au Leti.
-caractérisation des composants effectuée grâce à une instrumentalisation spécifique, par tranches entières de 200 mm, comportant parfois près de 20 000 composants nus ou encapsulés : accéléromètres, résonateurs, capteurs magnétiques, filtres acoustiques, commutateurs…
Le Leti plus que jamais à la recherche d’innovations
-Le Leti et Brewer Science Inc. réalisent en 2008 le premier procédé d’intégration de matériaux dans les flux de fabrication de substrats ultra fins pour empiler des puces en 3D.
-Le Leti et 3DPlus collaborent sur les technologies package-in-package en vue de l’intégration 3D.
-Le Leti développe son procédé avec scellement eutectique à base d’alliage Au-Sn, nécessaire au packaging hermétique.
Le procédé du laboratoire, avec scellement eutectique "wafer/wafer", nécessite le dépôt d’un anneau de scellement et de plots ayant un gap de moins de 10µm d’épaisseur.
“Les surfaces mises en jeu pour les contacts électriques des composants MEMS sont de quelques µm². A cette échelle, il n’est parfois plus possible d’appliquer des lois de conduction classiquement utilisées pour des surfaces de contact de grande taille. Or, la maîtrise des phénomènes de vieillissement des zones de contact conditionne en partie la fiabilité du dispositif complet. Il est donc nécessaire d’utiliser et de développer de nouveaux modèles de comportement des contacts électriques pour les composants MEMS» – Didier Bloch, responsable du Laboratoire de Caractérisation et Fiabilité des Microsystèmes (LCFM)
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