Réduction des coûts liés aux substrats de Germanium :

-collaboration du Leti et SOITEC sur la base du procédé Smart CutTM,
-mise au point d’un nouveau concept de substrat de nucléation pour l’épitaxie de matériaux III-V,
-innovation économique reposant sur la réutilisation du substrat de Germanium,
-approche compatible avec les récents développements des structures métamorphiques inversées.

Réalisation des fonctions de filtrage :

-utilisation courante de couches minces de piézoélectrique déposées
-mise au point, à partir du procédé Smart CutTM, d’un substrat de Niobate de lithium monocristallin sur métal sur isolant.
-excellentes performances des filtres très large bande élaborés sur ces substrats.

Augmentation des vitesses de calcul limitée par l’accroissement de la puissance dissipée due à l’augmentation de la température des circuits :

-intégration de couches de diamant comme isolant enterré dans les substrats SOI
-amélioration de l’évacuation de la chaleur au niveau du substrat à partir des caractéristiques de conduction thermique du diamant permettant d’augmenter la fréquence de fonctionnement des circuits

Une expertise unique dans le monde des R&D :

-niveau d’équipements et de compétences rare, permettant la réalisation de substrats à base de matériaux innovants avec un niveau de maturité avancé
-techniques les plus évoluées d’implantation ionique, de nettoyage, de collage, ou d’amincissement
-nombre grandissant de substrats développés par le Leti exploités au niveau commercial.