Leti, l'innovation
au service de l'industrie
Jean-Claude Royer (jean-claude.royer@cea.fr)
Il y a cinq ans, le Leti, l’INAC (Institut Nanosciences et Cryogénie) et le Liten (Laboratoire d’Innovation pour les Technologies des Énergies Nouvelles et les nanomatériaux) ont uni leurs forces sur le campus MINATEC pour créer une plateforme dédiée à la caractérisation à l’échelle nanométrique.
La plateforme de nanocaractérisation, désormais connue sous le sigle PFNC, recouvre un vaste champ de compétences, de la microscopie électronique, à la diffraction des rayons X, l’analyse de surface en passant par la préparation d'échantillons. La PFNC comprend plus de 40 équipements lourds de caractérisation à la pointe de la technologie situés dans un laboratoire dédié de plus de 2 500 m², où travaillent environ 80 chercheurs et étudiants.
Unique en Europe, cette plateforme permet de développer de nouvelles techniques et compétences en vue de répondre aux nouveaux défis qui apparaissent dans le domaine de la caractérisation en micro et nanoélectronique, des matériaux pour l’énergie et les nanosciences.
Elle apporte un support aux programmes et travaux de recherche du CEA et offre également aux partenaires universitaires et industriels l’accès à un parc d’équipements et à une expertise en caractérisation leur permettant de résoudre certains des problèmes technologiques qu’ils rencontrent.
Grace à des investissements provenant de différentes sources et notamment du programme national en recherche technologique de base (RTB), la plateforme de nanocaractérisation continue à acquérir des outils de caractérisation et à développer de nouvelles techniques :
En 2010, le Leti a fondé un laboratoire commun avec FEI afin d’associer l’expertise du CEA-Leti et de ses partenaires de la PFNC à celle de FEI. Ce projet vise à développer des applications de microscopie électronique en transmission utilisant les capacités du Titan Pico, le nouveau microscope électronique en transmission de FEI.
L’holographie électronique en champ clair a été améliorée afin de donner une résolution spatiale de 1 nm pour les cartographies de dopants actifs. La figure 1(a) montre une image MET d’un dispositif nMOS à grille de 28 nm.
La figure 1(b) présente une cartographie de dopage du dispositif nMOS avec une résolution spatiale d’environ 5 nm, jusque là impossible à obtenir. Aujourd'hui, en améliorant la préparation des échantillons et le protocole expérimental, il est possible d’obtenir des cartographies de dopants actifs avec une résolution spatiale de 1 nm, comme on peut le voir sur la Figure 1(c).
AFM sous ultravide : Caractérisation du mécanisme de démouillage d’un film mince de silicium.
La figure présente une image topographique typique d’îlots de silicium obtenus après un recuit à 800 °C.